[服务项目]主题： 深度光刻技术—上海激光刻字 ... 发布者： 陈先生
09/01/2016
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深度光刻技术—上海激光刻字
激光刻字集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术-上海激光刻字友情指出！
常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，至终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。
激光刻字加工中微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外,对扌亢蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高的要求。
深度光刻也是目前研究比较热门的一项技术,以前的光刻都只限于表面光刻,胶层厚度仅为1Lm左右,现在由于一些特殊的应用,如离子刻蚀,剥离,三维微机械和LIGA工艺等,需要制备几十甚至几百微米厚的胶层。由于焦深的原因,深度光刻通常都采用接触/接近式光刻(但也有少数采用1@投影式光刻)。光源目前主要为紫外光和X射线,紫外光目前正胶可做到100Lm左右厚度,再厚就很难曝透。负胶灵敏度高甚至可以做出600Lm厚,50Lm宽的图形,只是曝光时间较长。X射线是今后深度光刻发展的方向,用于深度光刻的X射线一般需采用0.1~0.4nm范围内的硬X射线,这个波段的硬X射线穿透力较强,可使深层的光刻胶感光,X射线可光刻出500Lm左右厚度的图形,曝光时间也较长[15] 。上海激光焊接指出，此外硬X射线穿透力较强,对掩膜的吸收层厚度也有一定要求。 深度光刻对分辨率的要求不高,通常只要求做到20~50Lm左右的分辨率,但要求较高的深宽比。如果既要求一定的厚度,又要求较高的分辨率,这在工艺中是很难实现的,例如要在10Lm厚的胶层上刻出2Lm的线条,就相当于要在1Lm厚的胶层上刻出0.2Lm的线宽。但UltratechStepper公司的研究人员已采用1@投影式光刻机分别在10Lm和100Lm厚的胶层上刻出了2Lm和7Lm的线条深度光刻对侧壁和底面的陡度要求较高,从一些实验结果来看,紫外光和X射线都基本能满足要求。
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最后更新: 2016-09-01 14:07:44
